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EMG8T2R
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-EMG8T2R |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | EMG8T2R |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | EMG8, UMG8N |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
EMG8T2R
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT5 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) | 47k |
| Widerstand - Base (R1) (Ohm) | 4.7k |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Andere Namen | EMG8T2RTR |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | EMG8T2R |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Expanded Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
| Beschreibung | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 10mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Andere
| Standardpaket | 8,000 |
|---|---|
| Andere Namen | EMG8T2RTR |
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