EMT1T2R

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EMT1T2R

EXSHINE Artikelnummer:EX-EMT1T2R
Hersteller Artikelnummer:EMT1T2R
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:EMT1, UMT1N, IMT1A
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
EMT1T2R
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)
Supplier Device-Gehäuse EMT6
Serie -
Leistung - max 150mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen EMT1T2R-ND
EMT1T2RTR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer EMT1T2R
Frequenz - Übergang 140MHz
Expanded Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 150mW Surface Mount EMT6
Beschreibung TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 150mA

Andere

Standardpaket 8,000
Andere Namen EMT1T2R-ND

EMT1T2RTR

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