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HP8K22TB
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-HP8K22TB |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | HP8K22TB |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | HP8K22 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
HP8K22TB
Auf Lager: 86015000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | 8-HSOP |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Leistung - max | 25W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen | HP8K22TBTR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | HP8K22TB |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Beschreibung | 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 27A, 57A |
Andere
| Andere Namen | HP8K22TBTR |
|---|---|
| Standardpaket | 2,500 |
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