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IMB1AT110
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IMB1AT110 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IMB1AT110 |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | UMA1N/B1N, FMA1A, IMB1A/5A |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IMB1AT110
Auf Lager: 15718000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | SMT6 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) | 22k |
| Widerstand - Base (R1) (Ohm) | 22k |
| Leistung - max | 300mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-74, SOT-457 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | IMB1AT110 |
| Frequenz - Übergang | - |
| Expanded Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6 |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 56 @ 5mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Andere
| Standardpaket | 3,000 |
|---|
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