IMD2AT108

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IMD2AT108

EXSHINE Artikelnummer:EX-IMD2AT108
Hersteller Artikelnummer:IMD2AT108
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:EMD2, UMD2N, IMD2A
Anwendung:-
Gewicht:-
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IMD2AT108
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SMT6
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 22k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 22k
Leistung - max 300mW
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457
Andere Namen IMD2AT108DKR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer IMD2AT108
Frequenz - Übergang 250MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Beschreibung TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Andere

Andere Namen IMD2AT108DKR
Standardpaket 1

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