IMH9AT110

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IMH9AT110

EXSHINE Artikelnummer:EX-IMH9AT110
Hersteller Artikelnummer:IMH9AT110
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:EMH9, UMH9N, IMH9A
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IMH9AT110
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SMT6
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 10k
Leistung - max 300mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457
Andere Namen IMH9AT110-ND
IMH9AT110TR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer IMH9AT110
Frequenz - Übergang 250MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Beschreibung TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Andere

Andere Namen IMH9AT110-ND

IMH9AT110TR
Standardpaket 3,000

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