IMT18T110

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IMT18T110

EXSHINE Artikelnummer:EX-IMT18T110
Hersteller Artikelnummer:IMT18T110
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:EMT18, UMT18N, IMT18
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IMT18T110
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SMT6
Serie -
Leistung - max 300mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer IMT18T110
Frequenz - Übergang 260MHz
Expanded Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 12V 500mA 260MHz 300mW Surface Mount SMT6
Beschreibung TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 10mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA

Andere

Standardpaket 3,000

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