MTZJT-779.1C

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MTZJT-779.1C

EXSHINE Artikelnummer:EX-MTZJT-779.1C
Hersteller Artikelnummer:MTZJT-779.1C
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:MTZ J Series
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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MTZJT-779.1C
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Produktparameter

Spannung - Zener (Nom) (Vz) 9.1V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If -
Toleranz ±3%
Supplier Device-Gehäuse MSD
Serie -
Leistung - max 500mW
Verpackung Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse DO-204AG, DO-34, Axial
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer MTZJT-779.1C
Impedanz (Max) (Zzt) 20 Ohm
Expanded Beschreibung Zener Diode 500mW ±3% Through Hole MSD
Beschreibung DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 500nA @ 6V

Andere

Standardpaket 5,000

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