QH8KA1TCR

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QH8KA1TCR

EXSHINE Artikelnummer:EX-QH8KA1TCR
Hersteller Artikelnummer:QH8KA1TCR
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:30V NCH+NCH POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:QH8KA1
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
QH8KA1TCR
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse TSMT8
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 73 mOhm @ 4.5A, 10V
Leistung - max 2.4W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead
Andere Namen QH8KA1TCRTR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer QH8KA1TCR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 125pf @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A 2.4W Surface Mount TSMT8
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung 30V NCH+NCH POWER MOSFET
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen QH8KA1TCRTR

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