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QS5U17TR
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-QS5U17TR |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | QS5U17TR |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | 1 |
| Datenblatt herunterladen: | QS5U17 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
QS5U17TR
Auf Lager: 41542000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TSMT5 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 900mW (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | QS5U17TR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | Schottky Diode (Isolated) |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 30V 2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSMT5 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) |
Andere
| Standardpaket | 3,000 |
|---|
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