QS6K1TR

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QS6K1TR

EXSHINE Artikelnummer:EX-QS6K1TR
Hersteller Artikelnummer:QS6K1TR
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:QS6K1
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
QS6K1TR
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse TSMT6 (SC-95)
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 238 mOhm @ 1A, 4.5V
Leistung - max 1.25W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer QS6K1TR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 77pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A

Andere

Standardpaket 3,000

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