R5009ANX

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R5009ANX

EXSHINE Artikelnummer:EX-R5009ANX
Hersteller Artikelnummer:R5009ANX
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 500V 9A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:R5009ANX
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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R5009ANX
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2500+:
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220FM
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 720 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max) 50W (Tc)
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer R5009ANX
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 500V 9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 9A TO220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)

Andere

Standardpaket 500

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