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R6011ENX
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-R6011ENX |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | R6011ENX |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | R6011ENX |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
R6011ENX
Auf Lager: 43370 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220FM |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 40W (Tc) |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Andere Namen | R6011ENXCT R6011ENXCT-ND |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 17 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | R6011ENX |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
Andere
| Andere Namen | R6011ENXCT R6011ENXCT-ND |
|---|---|
| Standardpaket | 500 |
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