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RCX120N20
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-RCX120N20 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | RCX120N20 |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 12A TO-220FM |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | RCX120N20 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
RCX120N20
Auf Lager: 97871000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220FM |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 325 mOhm @ 6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.23W (Ta), 40W (Tc) |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 17 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | RCX120N20 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 200V 12A (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220FM |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 12A TO-220FM |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 500 |
|---|
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