RDR005N25TL

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RDR005N25TL

EXSHINE Artikelnummer:EX-RDR005N25TL
Hersteller Artikelnummer:RDR005N25TL
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:RDR005N25
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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RDR005N25TL
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TSMT3
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 Ohm @ 250mA, 10V
Verlustleistung (max) 540mW (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-96
Andere Namen RDR005N25TLTR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer RDR005N25TL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 250V 500mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250V
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA (Ta)

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen RDR005N25TLTR

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