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RF4E100AJTCR

EXSHINE Artikelnummer:EX-RF4E100AJTCR
Hersteller Artikelnummer:RF4E100AJTCR
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:RF4E100AJ
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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RF4E100AJTCR
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse HUML2020L8
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4 Ohm @ 10A, 4.5V
Verlustleistung (max) 2W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad
Andere Namen RF4E100AJTCRTR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer RF4E100AJTCR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1460pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 30V 10A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount HUML2020L8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen RF4E100AJTCRTR

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