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EXSHINE Artikelnummer: | EX-RF4E100AJTCR |
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Hersteller Artikelnummer: | RF4E100AJTCR |
Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
Kurze Beschreibung: | NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | 1 |
Datenblatt herunterladen: | RF4E100AJ |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | HUML2020L8 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 Ohm @ 10A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 2W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 6-UDFN Exposed Pad |
Andere Namen | RF4E100AJTCRTR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | RF4E100AJTCR |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1460pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Expanded Beschreibung | N-Channel 30V 10A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount HUML2020L8 |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Beschreibung | NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
Standardpaket | 3,000 |
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Andere Namen | RF4E100AJTCRTR |
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