RFN1L6STE25

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RFN1L6STE25

EXSHINE Artikelnummer:EX-RFN1L6STE25
Hersteller Artikelnummer:RFN1L6STE25
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:RFN1L6
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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RFN1L6STE25
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Produktparameter

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 800mA
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600V
Supplier Device-Gehäuse PMDS
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 35ns
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA
Andere Namen RFN1L6STE25TR
Betriebstemperatur - Anschluss 150°C (Max)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 20 Weeks
Hersteller-Teilenummer RFN1L6STE25
Expanded Beschreibung Diode Standard 600V 800mA Surface Mount PMDS
Diodentyp Standard
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1µA @ 600V
Strom - Richt (Io) 800mA
Kapazität @ Vr, F -

Andere

Andere Namen RFN1L6STE25TR
Standardpaket 1,500

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