RJU002N06T106

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RJU002N06T106

EXSHINE Artikelnummer:EX-RJU002N06T106
Hersteller Artikelnummer:RJU002N06T106
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:RJU002N06 Datasheet
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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RJU002N06T106
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse UMT3
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max) 200mW (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323
Andere Namen RJU002N06T106TR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer RJU002N06T106
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen RJU002N06T106TR

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