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RRH100P03TB1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-RRH100P03TB1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | RRH100P03TB1 |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET P-CH 30V 10A SOP8 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | RRH100P03 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
RRH100P03TB1
Auf Lager: 96389000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 650mW (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | RRH100P03TB1TR |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | RRH100P03TB1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 5V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | P-Channel 30V 10A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 10A SOP8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta) |
Andere
| Standardpaket | 2,500 |
|---|---|
| Andere Namen | RRH100P03TB1TR |
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