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RSD080N06TL
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-RSD080N06TL |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | RSD080N06TL |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 8A CPT3 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | 1 |
| Datenblatt herunterladen: | RSD080N06 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
RSD080N06TL
Auf Lager: 68603000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | CPT3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 15W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 17 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | RSD080N06TL |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 60V 8A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount CPT3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 8A CPT3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta) |
Andere
| Standardpaket | 2,500 |
|---|
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