RSD150N06TL

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RSD150N06TL

EXSHINE Artikelnummer:EX-RSD150N06TL
Hersteller Artikelnummer:RSD150N06TL
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 15A CPT3
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:RSD150N06
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
RSD150N06TL
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse CPT3
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max) 20W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 17 Weeks
Hersteller-Teilenummer RSD150N06TL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 60V 15A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 15A CPT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta)

Andere

Standardpaket 2,500

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