RSS065N06FU6TB

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RSS065N06FU6TB

EXSHINE Artikelnummer:EX-RSS065N06FU6TB
Hersteller Artikelnummer:RSS065N06FU6TB
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:RSS065N06
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) 20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 6.5A, 10V
Verlustleistung (max) 2W (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen RSS065N06FU6TBTR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer RSS065N06FU6TB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 60V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta)

Andere

Standardpaket 2,500
Andere Namen RSS065N06FU6TBTR

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