RSS070P05FU6TB

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RSS070P05FU6TB

EXSHINE Artikelnummer:EX-RSS070P05FU6TB
Hersteller Artikelnummer:RSS070P05FU6TB
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH 45V 7A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:RSS070P05
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
RSS070P05FU6TB
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id -
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max) 2W (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen RSS070P05FU6TBTR
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer RSS070P05FU6TB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47.6nC @ 5V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung P-Channel 45V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 45V
Beschreibung MOSFET P-CH 45V 7A 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta)

Andere

Andere Namen RSS070P05FU6TBTR
Standardpaket 2,500

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