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RSS090P03FU7TB

EXSHINE Artikelnummer:EX-RSS090P03FU7TB
Hersteller Artikelnummer:RSS090P03FU7TB
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:RSS090P03
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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RSS090P03FU7TB
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max) 2W (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 17 Weeks
Hersteller-Teilenummer RSS090P03FU7TB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 5V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung P-Channel 30V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta)

Andere

Standardpaket 2,500

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