RSS110N03TB

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RSS110N03TB

EXSHINE Artikelnummer:EX-RSS110N03TB
Hersteller Artikelnummer:RSS110N03TB
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:RSS110N03
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
RSS110N03TB
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.7 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max) 2W (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen RSS110N03TB-ND
RSS110N03TBTR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer RSS110N03TB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 30V 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta)

Andere

Andere Namen RSS110N03TB-ND

RSS110N03TBTR
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