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SCH2080KEC
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-SCH2080KEC |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | SCH2080KEC |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | SCH2080KE |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
SCH2080KEC
Auf Lager: 76150 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 4.4mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117 mOhm @ 10A, 18V |
| Verlustleistung (max) | 262W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | SCH2080KEC |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 800V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 18V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 40A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 360 |
|---|
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