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SH8KA2GZETB
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-SH8KA2GZETB |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | SH8KA2GZETB |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | SH8KA2 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
SH8KA2GZETB
Auf Lager: 69761000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 8A, 10V |
| Leistung - max | 2.8W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | SH8KA2GZETBTR |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | SH8KA2GZETB |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.8W Surface Mount 8-SOP |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Beschreibung | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A |
Andere
| Andere Namen | SH8KA2GZETBTR |
|---|---|
| Standardpaket | 2,500 |
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Distributor von Rohm Semiconductor
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