SH8M4TB1

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SH8M4TB1

EXSHINE Artikelnummer:EX-SH8M4TB1
Hersteller Artikelnummer:SH8M4TB1
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SP8M4SH8M4
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SH8M4TB1
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 9A, 10V
Leistung - max 2W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen SH8M4TB1TR
SP8M4TB
SP8M4TBTR
SP8M4TBTR-ND
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer SH8M4TB1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
Typ FET N and P-Channel
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A, 7A

Andere

Standardpaket 2,500
Andere Namen SH8M4TB1TR

SP8M4TB

SP8M4TBTR

SP8M4TBTR-ND

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