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TT8M2TR
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-TT8M2TR |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | TT8M2TR |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | TT8M2 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
TT8M2TR
Auf Lager: 44814000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | 8-TSST |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Leistung - max | 1.25W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | TT8M2TR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| Typ FET | N and P-Channel |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 2.5A 1.25W Surface Mount 8-TSST |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V, 20V |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.5A |
Andere
| Standardpaket | 3,000 |
|---|
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Distributor von Rohm Semiconductor
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