UMD9NTR

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UMD9NTR

EXSHINE Artikelnummer:EX-UMD9NTR
Hersteller Artikelnummer:UMD9NTR
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:EMD9, UMD9N, IMD9A
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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UMD9NTR
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse UMT6
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 10k
Leistung - max 150mW
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen UMD9NDKR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer UMD9NTR
Frequenz - Übergang 250MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Beschreibung TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Andere

Andere Namen UMD9NDKR
Standardpaket 1

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