UMG3NTR

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UMG3NTR

EXSHINE Artikelnummer:EX-UMG3NTR
Hersteller Artikelnummer:UMG3NTR
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:EMG3, UMG3N, FMG3A
Anwendung:-
Gewicht:-
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UMG3NTR
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse UMT5
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) -
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Leistung - max 150mW
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Andere Namen UMG3NTRDKR
UMG3NTRDKR-ND
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer UMG3NTR
Frequenz - Übergang 250MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Andere

Andere Namen UMG3NTRDKR

UMG3NTRDKR-ND
Standardpaket 1

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