US5U35TR

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US5U35TR

EXSHINE Artikelnummer:EX-US5U35TR
Hersteller Artikelnummer:US5U35TR
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:US5U35
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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US5U35TR
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TUMT5
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 700mA, 10V
Verlustleistung (max) 1W (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer US5U35TR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 5V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)
Expanded Beschreibung P-Channel 45V 700mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT5
Drain-Source-Spannung (Vdss) 45V
Beschreibung MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 700mA (Ta)

Andere

Standardpaket 3,000

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