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US6J11TR
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-US6J11TR |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | US6J11TR |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | 1 |
| Datenblatt herunterladen: | US6J11 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
US6J11TR
Auf Lager: 41925000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | UMT6 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Leistung - max | 320mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | US6J11TR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 320mW Surface Mount UMT6 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.3A |
Andere
| Standardpaket | 3,000 |
|---|
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