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US6M1TR
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-US6M1TR |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | US6M1TR |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | 1 |
| Datenblatt herunterladen: | US6M1 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
US6M1TR
Auf Lager: 71692000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | TUMT6 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 1.4A, 10V |
| Leistung - max | 1W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-SMD, Flat Leads |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | US6M1TR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 5V |
| Typ FET | N and P-Channel |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.4A, 1A 1W Surface Mount TUMT6 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V, 20V |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.4A, 1A |
Andere
| Standardpaket | 3,000 |
|---|
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