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VT6K1T2CR
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-VT6K1T2CR |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | VT6K1T2CR |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | VT6K1 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
VT6K1T2CR
Auf Lager: 21669000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | VMT6 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Leistung - max | 120mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-SMD, Flat Leads |
| Andere Namen | VT6K1T2CRTR |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 17 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | VT6K1T2CR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7.1pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100mA |
Andere
| Andere Namen | VT6K1T2CRTR |
|---|---|
| Standardpaket | 8,000 |
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