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3135GN-170M

EXSHINE Artikelnummer:EX-3135GN-170M
Hersteller Artikelnummer:3135GN-170M
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:3135GN-170M
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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3135GN-170M
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Produktparameter

Spannung - Prüfung 60V
Spannung - Nennwert 150V
Transistor-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Source
Supplier Device-Gehäuse 55QP
Serie -
Leistung 185W
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse 55QP
Rauschmaß -
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer 3135GN-170M
Gewinnen 11.5dB ~ 11.8dB
Frequenz 3.1GHz ~ 3.5GHz
Expanded Beschreibung RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 500mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11.5dB ~ 11.8dB 185W 55QP
Beschreibung FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
Aktuelle Bewertung 5mA
Strom - Test 500mA

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