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APT12M80B

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APT12M80B

EXSHINE Artikelnummer:EX-APT12M80B
Hersteller Artikelnummer:APT12M80B
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:Power Products CatalogAPT12M80(B,S)
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
APT12M80B
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B]
Serie POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max) 335W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 22 Weeks
Hersteller-Teilenummer APT12M80B
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2470pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 800V 13A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)

Andere

Standardpaket 30

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Distributor von Microsemi Corporation

- Micro / sys bietet eine breite Palette an Prozessoroptionen, von kostengünstigen 80C188-basierten Computern über Pentium-basierte Kraftpakete bis hin zu Peripheriegeräten und I / O-Produkten.

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