APT75GN60LDQ3G

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APT75GN60LDQ3G

EXSHINE Artikelnummer:EX-APT75GN60LDQ3G
Hersteller Artikelnummer:APT75GN60LDQ3G
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:IGBT 600V 155A 536W TO264
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APT75GN60LDQ3(G)Power Products Catalog
Anwendung:-
Gewicht:-
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APT75GN60LDQ3G
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 75A
Testbedingung 400V, 75A, 1 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 47ns/385ns
Schaltenergie 2500µJ (on), 2140µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-264 [L]
Serie -
Leistung - max 536W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA
Andere Namen APT75GN60LDQ3GMI
APT75GN60LDQ3GMI-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 22 Weeks
Hersteller-Teilenummer APT75GN60LDQ3G
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ Trench Field Stop
Gate-Ladung 485nC
Expanded Beschreibung IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-264 [L]
Beschreibung IGBT 600V 155A 536W TO264
Strom - Collector Pulsed (Icm) 225A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 155A

Andere

Standardpaket 25
Andere Namen APT75GN60LDQ3GMI

APT75GN60LDQ3GMI-ND

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