APT8M100B

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-APT8M100B
Hersteller Artikelnummer:	APT8M100B
Hersteller / Marke:	Microsemi
Kurze Beschreibung:	MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	APT8M100(B,S)Power Products Catalog
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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APT8M100B
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Verpackung

Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-247 [B]
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)	290W (Tc)
Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3
Andere Namen	APT8M100BMI APT8M100BMI-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	22 Weeks
Hersteller-Teilenummer	APT8M100B
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1885pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Expanded Beschreibung	N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V (1kV)
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A (Tc)

Andere

Standardpaket	30
Andere Namen	APT8M100BMI APT8M100BMI-ND

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