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APTC90HM60T3G

EXSHINE Artikelnummer:EX-APTC90HM60T3G
Hersteller Artikelnummer:APTC90HM60T3G
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APTC90HM60T3G
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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APTC90HM60T3G
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 6mA
Supplier Device-Gehäuse SP3
Serie CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 52A, 10V
Leistung - max 462W
Verpackung Tray
Verpackung / Gehäuse SP3
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 22 Weeks
Hersteller-Teilenummer APTC90HM60T3G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 540nC @ 10V
Typ FET 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal Super Junction
Expanded Beschreibung Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900V
Beschreibung MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 59A

Andere

Standardpaket 1

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