APTGT35SK120D1G

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-APTGT35SK120D1G
Hersteller Artikelnummer:	APTGT35SK120D1G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Kurze Beschreibung:	IGBT 1200V 55A 205W D1
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	APTGT35SK120D1
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

APTGT35SK120D1G
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Versand
Verpackung

Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 35A
Supplier Device-Gehäuse	D1
Serie	-
Leistung - max	205W
Verpackung / Gehäuse	D1
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor	No
Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	APTGT35SK120D1G
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	2.5nF @ 25V
Eingang	Standard
IGBT-Typ	Trench Field Stop
Expanded Beschreibung	IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1
Beschreibung	IGBT 1200V 55A 205W D1
Strom - Collector Cutoff (Max)	5mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	55A
Konfiguration	Single

Andere

Standardpaket	1

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