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APTGT50DH120T3G

EXSHINE Artikelnummer:EX-APTGT50DH120T3G
Hersteller Artikelnummer:APTGT50DH120T3G
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOD IGBT 1200V 75A SP3
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APTGT50DH120T3G
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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APTGT50DH120T3G
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device-Gehäuse SP3
Serie -
Leistung - max 277W
Verpackung / Gehäuse SP3
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor Yes
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 22 Weeks
Hersteller-Teilenummer APTGT50DH120T3G
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 3.6nF @ 25V
Eingang Standard
IGBT-Typ Trench Field Stop
Expanded Beschreibung IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP3
Beschreibung MOD IGBT 1200V 75A SP3
Strom - Collector Cutoff (Max) 250µA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 75A
Konfiguration Asymmetrical Bridge

Andere

Standardpaket 1

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