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APTM20DAM08TG

EXSHINE Artikelnummer:EX-APTM20DAM08TG
Hersteller Artikelnummer:APTM20DAM08TG
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 200V 208A SP4
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:APTM20DAM08TGPower Products Catalog
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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APTM20DAM08TG
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SP4
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 104A, 10V
Verlustleistung (max) 781W (Tc)
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SP4
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 22 Weeks
Hersteller-Teilenummer APTM20DAM08TG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 200V 208A 781W (Tc) Chassis Mount SP4
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 208A SP4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 208A

Andere

Standardpaket 1

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