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APTM50AM70FT1G

EXSHINE Artikelnummer:EX-APTM50AM70FT1G
Hersteller Artikelnummer:APTM50AM70FT1G
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APTM50AM70UT1GPower Products Catalog
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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APTM50AM70FT1G
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse SP1
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84 mOhm @ 42A, 10V
Leistung - max 390W
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SP1
Andere Namen APTM50AM70UT1G
APTM50AM70UT1G-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer APTM50AM70FT1G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal Standard
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 50A 390W Chassis Mount SP1
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A

Andere

Andere Namen APTM50AM70UT1G

APTM50AM70UT1G-ND
Standardpaket 1

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