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APTM50DSKM65T3G

EXSHINE Artikelnummer:EX-APTM50DSKM65T3G
Hersteller Artikelnummer:APTM50DSKM65T3G
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APTM50DSKM65T3GPower Products Catalog
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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APTM50DSKM65T3G
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse SP3
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78 mOhm @ 25.5A, 10V
Leistung - max 390W
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SP3
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 22 Weeks
Hersteller-Teilenummer APTM50DSKM65T3G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Standard
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 51A 390W Chassis Mount SP3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 51A

Andere

Standardpaket 1

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