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JAN1N5809US

EXSHINE Artikelnummer:EX-JAN1N5809US
Hersteller Artikelnummer:JAN1N5809US
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
Bleifreier Status / RoHS Status:Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:1N5807,09,11 US/URS
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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JAN1N5809US
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Produktparameter

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100V
Supplier Device-Gehäuse B, SQ-MELF
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie Military, MIL-PRF-19500/477
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 30ns
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SQ-MELF, B
Andere Namen 1086-2125
1086-2125-MIL
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 8 Weeks
Hersteller-Teilenummer JAN1N5809US
Expanded Beschreibung Diode Standard 100V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
Diodentyp Standard
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5µA @ 100V
Strom - Richt (Io) 6A
Kapazität @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz

Andere

Standardpaket 1
Andere Namen 1086-2125

1086-2125-MIL

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Distributor von Microsemi Corporation

- Micro / sys bietet eine breite Palette an Prozessoroptionen, von kostengünstigen 80C188-basierten Computern über Pentium-basierte Kraftpakete bis hin zu Peripheriegeräten und I / O-Produkten.

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