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JAN2N6768T1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-JAN2N6768T1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | JAN2N6768T1 |
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH TO-254AA |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | 2N6764,66,68,70T1 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
JAN2N6768T1
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-254AA |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 14A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Andere Namen | JAN2N6768T1-MIL |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | JAN2N6768T1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 400V 14A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 400V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH TO-254AA |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 14A (Tc) |
Andere
| Andere Namen | JAN2N6768T1-MIL |
|---|---|
| Standardpaket | 1 |
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Distributor von Microsemi Corporation
- Micro / sys bietet eine breite Palette an Prozessoroptionen, von kostengünstigen 80C188-basierten Computern über Pentium-basierte Kraftpakete bis hin zu Peripheriegeräten und I / O-Produkten.
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