JAN2N6849

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-JAN2N6849
Hersteller Artikelnummer:	JAN2N6849
Hersteller / Marke:	Microsemi
Kurze Beschreibung:	MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39
Bleifreier Status / RoHS Status:	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	2N6849
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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JAN2N6849
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Verpackung

Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-39
Serie	Military, MIL-PRF-19500/564
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 6.5A, 10V
Verlustleistung (max)	800mW (Ta), 25W (Tc)
Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	TO-205AF Metal Can
Andere Namen	JAN2N6849-MIL
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	JAN2N6849
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34.8nC @ 10V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Expanded Beschreibung	P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.5A (Tc)

Andere

Andere Namen	JAN2N6849-MIL
Standardpaket	1

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