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JANTX2N6796
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-JANTX2N6796 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | JANTX2N6796 |
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 8A |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | 2N6796,98, 6800,02 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
JANTX2N6796
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-205AF (TO-39) |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/557 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Andere Namen | JANTX2N6796-MIL |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | JANTX2N6796 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.51nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 100V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 8A |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Andere
| Andere Namen | JANTX2N6796-MIL |
|---|---|
| Standardpaket | 1 |
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Distributor von Microsemi Corporation
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