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JANTXV1N5554US

EXSHINE Artikelnummer:EX-JANTXV1N5554US
Hersteller Artikelnummer:JANTXV1N5554US
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Bleifreier Status / RoHS Status:Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:1N5550US thru 1N5554US
Anwendung:-
Gewicht:-
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JANTXV1N5554US
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Produktparameter

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 9A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1000V (1kV)
Supplier Device-Gehäuse D-5B
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie Military, MIL-PRF-19500/420
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 2µs
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SQ-MELF, B
Andere Namen 1086-19418
1086-19418-MIL
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks
Hersteller-Teilenummer JANTXV1N5554US
Expanded Beschreibung Diode Standard 1000V (1kV) 3A Surface Mount D-5B
Diodentyp Standard
Beschreibung DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1µA @ 1000V
Strom - Richt (Io) 3A
Kapazität @ Vr, F -

Andere

Andere Namen 1086-19418

1086-19418-MIL
Standardpaket 1

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Distributor von Microsemi Corporation

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